三星Galaxy Watch7Ultra发布:搭载3nm芯片传选用GAA晶体管_SMT清洗设备_开云体育在线登录入口|开运官网下载
三星Galaxy Watch7Ultra发布:搭载3nm芯片传选用GAA晶体管
来源:SMT清洗设备    发布时间:2024-11-16 17:28:11
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  三星于7月10日举行发布会,正式推出Galaxy Watch7/Ultra智能手表,价格1999元至5199元,均搭载3nm处理器,5核规划。三星表明,新一代强壮处理器为很多功用供给强壮动力,此外还优化了电池续航时刻。两款手表均选用蓝宝石水晶玻璃,具有IP68防水才能及MIL-STD-810H认证,产品内置32GB存储空间,均支撑双频GPS、蓝牙衔接以及可选LTE蜂窝移动网版别。

  研究组织TechInsights此前曾发现,三星第一代SF3E(3nm制程)工艺芯片于2023年推出,选用业界抢先的GAA(全盘绕栅极)晶体管规划,是未来制作更小制程芯片的关键技能。该工艺最早在一款小批量出产的加密钱银矿机MicroBT WhatsMiner M56S++中发布。

  该组织表明,估计三星Galaxy Watch 7的3nm芯片中,相同选用GAA技能。

  TechInsights剖析,2023年三星出产的SF3E工艺技能,是他们第一代多桥通道场效应晶体管(Multi-Bridge-Channel FET, MBCFETTM)。这是一种全盘绕栅极(GAA)纳米片晶体管规划。这种新式晶体管架构在业界尚属初次,是下一代逻辑器材的关键技能,由于FinFET(鳍式晶体管)技能在进一步缩小尺度方面面对约束。

  组织表明,与FinFET比较,GAA晶体管具有更优异的静电特性和驱动电流、更好的短沟道控制才能、优化的功耗和更大的灵活性。组织在陈述中表明,“除此之外,没有三星或其他供货商承认将该技能应用于其他根本的产品的规划,因而有人估测三星正在处理这一前期版别在出产良率方面的问题。”

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