股份有限公司公司代码:603690 公司简称:至纯科技上海至纯洁净系统科技股份有限公司2022年年度报告摘要第一节重要提示1本年度报告摘要来自年度报告全文,为全方面了解本公司的经营成果、财务情况及未来发展规划,投资者应当到网站仔细阅读年度报告全文。
2本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。
4众华会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
5董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案2022年度拟每10股派发现金红利1.324元(含税),并每10股派送红股2股(含税)(每股面值1元) 第二节公司基本情况1公司简介公司股票简况股票种类股票上市交易所股票简称股票代码变更前股票简称A股上海证券交易所至纯科技603690无联系人和联系方式董事会秘书证券事务代表姓名陆磊张娟办公地址上海市闵行区紫海路170号上海市闵行区紫海路170号电线报告期公司主体业务简介集成电路领域,随着信息化、智能化技术的加快速度进行发展,半导体芯片及器件产品在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、新能源汽车、消费类电子等领域得到普遍应用,集成电路市场规模实现快速增长。
根据WSTS资料显示,全球半导体产业销售额已从2000年的2,044亿美元增长至2021年的5,559亿美元,并从中国台湾、日本、韩国向中国大陆转移。
根据国际半导体设备与材料协会(SEMI)的数据,2021年全球半导体设备市场规模达到1,030亿美元,较2020年增长42.24%,2022年第三季度全世界半导体设备出货金额达到287.5亿美元,环比增长9%,同比增长7%,其中中国大陆半导体设备出货金额占比约26.4%。
根据SEMI报告数据显示,中国大陆、中国台湾和韩国在2022年仍是设备支出的前三大目的地。
尽管大多数地区的设备支出预计将在2023年减少,但在2024年将恢复增长。
根据浙商证券统计多个方面数据显示,2022年中国大陆共有23座12英寸晶圆厂正在投产,总计月产能约为104.2万片,与总规划月产能156.5万片相比,产能装载率仅66.58%。
预计中国大陆2022-2026年还将新增25座12英寸晶圆厂,总规划月产能超过160万片,预计截止至2026年底,中国大陆12英寸晶圆厂的总月产能将超过276.3万片,相比目前提高165.1%。
目前全球缺芯尚无明显改善迹象,在全球集成电路制造产能持续紧张背景下,近两年我国集成电路相关领域投资活跃,实现半导体器件设备、电子元件及电子专用材料制造投资额的大幅度增长,中国大陆正在成为全世界半导体产业扩张宝地。
中国跃升全球半导体第一大市场,但自给率仅27%,中国近年出台的十三五计划,在《中国制造2025》中明确制定目标至2020年晶圆自给率将达到40%、2025年达50%,中国庞大资金与相关配套政策扶植下,估计未来几年半导体建设仍蓬勃发展。
公司目前80%的业务服务于集成电路领域,主营业务最重要的包含半导体制程设备、系统集成及支持设备的研发和生产销售,以及由此衍生的部件材料及专业服务。
公司提供湿法清理洗涤设施,包括湿法槽式清理洗涤设施及湿法单片式清理洗涤设施,聚焦晶圆制造的前道工艺,主要使用在于扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积等关键工序段前后。
单片高温SPM工艺主要用在刻蚀以及离子注入之后的有机物清洗,目的是把晶圆表面反应后残余的光刻胶聚合物清除干净。
单片SPM工艺应用贯穿整个先进半导体的前、中段工艺,清洗工艺次数超过30道,是所有湿法工艺中应用最多的一种设备。
此外SPM工艺被大范围的应用在浅槽隔离(STI)、接触孔刻蚀后(CT)等高深宽结构,以及鳍式晶体管(FinFET)、电容(capacitor)等高度复杂图形区域,故SPM工艺被公认是28/14nm性能要求最高的工艺,也是最具挑战的湿法工艺设备。
在至纯科技的单片SPM获得突破之前,所有的单片SPM设备全部由国外厂商所垄断。
此外公司开发硫酸回收系统与单片SPM设备搭配使用,最高能轻松实现80%以上的硫酸回收,单台每年可为用户节省160~180万美金的硫酸费用,同时降低用户对危废排放的压力。
目前产品的各项工艺指标与国际大厂设备是相匹配的,并可实现37纳米以下少于20个剩余颗粒的处理。
Backside clean(晶背清洗)工艺是在芯片制造工艺中很重要的湿法工艺。
半导体生产设备中,最高单价的就是光刻机,晶圆背面清洗的功能就是将背面的金属污染物清除,把颗粒洗净,让晶圆以最佳状态进入光刻机,避免光刻机因晶圆背面缺陷问题(金属和颗粒)而停机。
目前国内晶圆厂商用的最多的是由海外大厂制造的机台,而公司目前已实现Backside etch(背面蚀刻)功能,达到客户的验收标准。
公司产品如下所示:产品系列新产品图片应用领域技术特点单片清理洗涤设施S300-HS 覆盖40-7nm制程,重点应用于去胶清洗、离子注入后清洗、化学研磨后清洗、镍铂金属去除等工艺·高温硫酸回收,有助于节约客户成本·高温/高浓度化学品稳定应用·高稳定化学品混配系统·反应腔模组化设计·高洁精度零部S300-BS 可覆盖全制程晶背清洗需求·特有的晶圆翻转系统·良好的晶背刻蚀均匀性S300-CL 覆盖40-28nm制程,重点应用于接触孔清洗、炉管前清洗、薄膜沉积前后清洗等工艺·更好的机械设计,缩短等待时间·通过化学品回收有效为客户降低经营成本·工艺可随世代提升的显著优势S300-SV 覆盖90-7nm制程,重点应用于后段有机物清洗及高介电常数金属清洗工艺·高稳定化学品混配系统·良好的化学品回收能力·反应腔模组化设计·高洁精度零部件槽式清理洗涤设施B300-HT 重点覆盖28nm氮化硅去除·流场优化:重新设计槽体,均匀性与颗粒表现佳·浓度控制:可自动侦测并添加药液·补酸量控制:可实现小量换酸功能B200系列覆盖90-65nm制程,重点应用于刻蚀及去胶领域别的设备特色工艺单片设备可覆盖薄片工艺、化合物半导体、金属剥离制程等湿法制绒设备可覆盖Topcon及HJT等主流电池生产的基本工艺炉管设备可覆盖半导体芯片制程多项核心工艺涂胶显影设备可用于集成电路制造前道晶圆加工环节的光刻工序1.高纯系统集成及支持设备泛半导体工艺伴随许多种特殊制程,会使用到大量超高纯(ppt级别)的干湿化学品,这是完成工艺成果的重要介质,其特点是昂贵并伴随排放,因此高纯工艺系统在这其中发挥着重要作用。
公司为集成电路制造企业及泛半导体产业提供高纯工艺系统的设计、安装、测试调试服务。
高纯工艺系统的核心是系统模块设计,系统由专用设备、侦测传感系统、自控及软件系统、管阀件等组成;系统的前端连接高纯介质储存装置,系统的终端连接客户自购的工艺生产设备。
在集成电路领域,高纯工艺系统最重要的包含高纯特气系统、大宗气体系统、高纯化学品系统、研磨液供应及回收系统、前驱体工艺介质系统等。
高纯工艺中的特气设备和系统服务于各类干法工艺机台,高纯化学品设备系统服务于各类湿法系统,专用设备和系统和机台的腔体连成一个工作面,对于良率有重要的影响。
2021年起,公司将高纯特气设备、高纯化学品供应设备、研磨液供应设备、前驱体供应设备、工艺尾气液处理设备、干法机台气体供应模块等工艺支持性的设备作为单独的分类。
该类设备作为和氧化/扩散、刻蚀、离子注入、沉积、研磨、清洗等工艺机台的工艺腔体连为一个工作系统的支持性设备,是和工艺良率息息相关的必要设备,相当于一个工厂的心血管系统。
设备名称产品图片功能简介气瓶柜密闭式安全储存气体并不间断输送气体阀门分配箱高纯气体或者液体分流的阀门箱化学品柜对多套工艺设备做化学品供给化学品附属设备化学品供应系统中部分设备研磨液供应设备按照工艺要求精确配液供给设备单瓶气压式LDS 半导体级先进前驱体物料供应系统设备3、部件材料及专业服务 (1)基于目前国内半导体关键零部件依赖进口的大背景,公司在海宁设立了半导体模组及部件制造基地。
在湿法清理洗涤设施关键零部件技术方面,公司投入了众多资源进行自主研发和合作开发,取得了一定的技术成果,为部件制造奠定了一定的技术基础。
该项业务的顺利开展有利于推动我们国家关键半导体零部件进口替代,有利于进一步丰富及优化公司的业务结构、增强公司的综合竞争力。
(2)部件清洗及晶圆再生服务 公司在合肥设立了晶圆再生、部件清洗及表面处理产线,并建有国内首条完整阳极处理线。
晶圆再生产线英寸晶圆再生产线,部件清洗及表面处理产线纳米及以上制程的部件提供清洗及表面处理服务。
当客户设备部件出现阳极氧化层和基底暴露、表面损坏、涂层厚度低于规范标准等情况时,个人会使用水刀、喷砂、阳极氧化、电浆熔射、电弧熔射等工艺对部件进行表面处理及物理、化学洗涤,处理后通过量测设备做各类指标的测量,将设备中的石英、陶瓷、不锈钢、铝等材质的部件恢复到设备原厂零部件出厂等级。
目前部件再生服务已通过近十家客户在刻蚀、薄膜、扩散工艺环节部分产品的验证并正式接单。
报告期内合肥工厂还取得了合肥市级含砷处理资质、完成含砷工件专用制程线)半导体级大宗气体整厂供气服务 公司为国内28纳米工艺节点的集成电路制造厂商提供配套,投资建设了半导体级的大宗气体工厂,为用户更好的提供至少15年的高纯大宗气体整厂供应。
公司已在上海嘉定建成首座完全国产化的12英寸晶圆先进制程大宗气体供应工厂,于2022年初顺利通气并已稳定运行一年以上。
表决权恢复的优先股股东及持股数量的说明不适用4.2公司与控制股权的人之间的产权及控制关系的方框图√适用 □不适用 4.3公司与实际控制人之间的产权及控制关系的方框图√适用 □不适用 4.4报告期末公司优先股股东总数及前10名股东情况□适用√不适用 5公司债券情况□适用√不适用 第三节重要事项1公司应该依据重要性原则,披露报告期内公司经营情况的重大变化,以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。
2公司年度报告披露后存在退市风险警示或终止上市情形的,应当披露导致退市风险警示或终止上市情形的原因。
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