周一（6月3日），A股冲高回落，创业板指一度涨逾1%，市场逾4400股下跌。截至上午收盘，上证指数午盘跌0.51%，报3071.02点，深证成指跌0.23%报9342.59点，创业板指涨0.25%报1809.63点，科创50指数涨0.59%报748点。市场成交额5449.9亿元。

  资金面上，央行公告称，为维护银行体系流动性合理充裕，6月3日以利率招标方式开展20亿元7天期逆回购操作，中标利率1.8%。Wind多个方面数据显示，今日有20亿元逆回购到期，因此当日完全对冲到期量。

  消息面上，今年6月6日，我国5G迎来发牌五周年重要时间节点。工信部将联合业界举办“移动通信高水平质量的发展论坛”，系统总结我国移动通信，特别是5G产业引领数字化的经济高水平发展的成果和经验，激励全行业持续巩固提升领头羊和竞争优势。论坛期间将发布主管部门支持5G发展政策并进行权威解读。同时，将举办启动仪式：携手开启5G-A新时代。

  高盛在一份报告中将MSCI亚太地区（除日本）指数的12个月目标点位从580提高至615，受到盈利增长预估上调和对中国乐观看法的驱动，并称中国股市的涨势可以持续。

  6月3日公布的2024年5月财新中国制造业采购经理指数（PMI）录得51.7，较4月上升0.3个百分点，为2022年7月来最高，显示制造业生产经营活动扩张加速。

  板块方面，铜缆高速连接概念大涨，神宇股份触及20cm涨停，得润电子封板，胜蓝股份涨超10%，中富电路、创益通、兆龙互连、鼎通科技等跟涨。存储芯片概念股走强，太龙股份20cm涨停，万润科技、好上好涨停，佰维存储、江波龙、同有科技跟涨。教育股下跌，中公教育跌停，全通教育、凯文教育、科德教育、传智教育、国新文化等跟跌。

  据CFM闪存市场报道，三星电子成功将下一代存储半导体3DDRAM堆叠到16层。3DDRAM是一种称为“垂直堆叠单元阵列晶体管（VS-CAT）”的下一代存储器，其概念是像堆叠纸张一样垂直堆叠DRAM单元。三星电子通过VS-CAT和垂直通道晶体管（VCT）等，旨在在下一代DRAM市场中拉开技术差距。

  同样，据CFM闪存市场报道，美光HBM业务规模在2025会计年度将增长至数十亿美元。美光2025年HBM供应谈判基本上已完成，已与下游客户基本敲定了2025年HBM订单的规模和价格。美光预测，在未来数年间其HBM的位元产能的复合年成长率将达到50%。

  目前，市场整体需求氛围表现不佳，现货市场卖压持续扩大，终端需求亦未见好转，原厂端虽积极拉抬官价，但仅在SSD部分造成微幅波动，零星成交，无法拉抬并带动整体买气，wafer及eMMC报价方面持续下探。

  这里，通过整合多家券商最新研报信息，为粉丝朋友带来4家公司简介，仅供参考。

  公司于2021年开始开展电装业务。电子元器件在检测筛选合格后将进入电装工序，电装是指按照预定的电路设计功能，通过一定的技术方法将电子元器件、印刷电路板、结构件、导线、连接器等组合成具有独立电路功能的产品，最重要的包含SMT、DIP、组装、三防涂覆、机箱组装和测试等。目前公司电装业务领域覆盖航天、航空、电子、兵器、船舶、高铁等领域，未来应用空间有望逐步扩大。（东北证券）

  在IC设计领域，公司推出第一颗主控芯片，进入量产准备阶段；在先进封测领域，公司惠州封测基地聚焦存储器封测及SiP封测，未来富余产能将向存储器、IC设计公司、晶圆制造厂商提供代工服务形成新的业务增长点。此外，公司在东莞松山湖落地了晶圆级先进封测制造项目，聚焦大湾区封测需求；在存储测试设备领域，公司自主开发了一系列测试设备。（国信证券）

  公司基于领先工艺和超低功耗与高集成度自有设计的存储器优势，布局ARMCortex-M内核系列32位通用型MCU产品。2023年，公司陆续推出了ARMM0+和ARMM4内核的12大系列超过100款MCU芯片产品，覆盖55nm、40nm工艺制程，主要使用在于智能家居、小家电、BMS、无人机、驱动电机、逆变器、电子烟等下游领域，后续国产替代持续导入空间较大。（中邮证券）

  公司在存储器分销领域的业务发展以及在企业级存储新业务的布局，有望拓展市场增长空间。公司合作方与客户皆为领域龙头，公司二次转型进展顺利，公司成长动力充足。（东吴证券）